(NOTE 2번째 단락 외)

아래와 같이 고쳐주세요.

마지막 p.190은 p.199에 대한 내용입니다.

(1장 43페이지 외)

(p43 예제 1-2) Nh/N0 수식에서 1.38x10-10 -> 1.38x10-23

(p58 문제 1.8) Gamma 함수 관계식 중 마지막 Gamma(5/2)에서 1/3 -> 3/4 

(p58 문제 1.10) 첫줄의 f(E) 수식 중 Ef의 아래첨자 f -> F (대문자로)

(p59 문제 1.14) 모든 도펀트는 이온화되었고, 물질은 온도에 대하여 가장 민감한 p를 가진다고 가정하자 
     -> 모든 도펀트가 이온화되었다고 가정할 때, 어느 물질의 p가 가장 온도에 민감한가?

(p59 문제 1.14) Eg와 소수 캐리어 농도 간의 관계 -> Eg와 소수 캐리어 농도의 온도에 대한 민감도 간의 관계

(문제 1.7번)

Ev+kT/2인것을 보여라.
 
→ Ev-kT/2인것을 보여라.

(2장 65페이지 외)

(p69 예제 2-2)
τ_mp 수식에서 이동도의 단위 오류
470cm^2 → 470cm^2/V·s
0.047m^2 → 0.047m^2/V·s

(2장 74페이지 외)

(p74 그림 2-8) 가로축의 10^0 좌측에 10^1 -> 10^-1

(p75 예제 2-3) 풀이 (b)에서 10^-9cm^-2 -> 10^-9cm^2

(p80 예제 2-4) 마지막줄 확산상수 단위 오류
                     7.6cm2/V.s -> 7.6cm2/s

(p82 예제 2-5) 풀이 (a) 10^5 -> 10^15
                     풀이 (c) p' 수식에서 t -> tau
                     풀이 (g) np ~ 2x10^5 -> 10^15

(3장 94페이지 외)

(p94) 둘째줄 '각 개인당 백만 개' -> '각 개인당 십억 개'

(p100) 둘째 단락 첫줄 minium -> minimum

(p101) 세째 단락 첫줄 minium -> minimum

(p103) 3.3.3절 첫줄 리소그래프 -> 리소그래피

(p106) 3.5절 세째줄 고체-소오스 도핑(solid-source doing)
                 -> 고체-소오스 확산(solid-source diffusion)

(p111 그림 3-15) 세로축 지수에 "-" 부호가 빠짐.
                        (10^11 -> 10^-11 등등)
       가로축 title 1/T(K)x10^-3 -> x10^3
       그림 caption에 "([5]에 따름)" 추가

(p116 그림 3-19) 좌상단 '입력 센서' -> '압력 센서'

(p120 NOTE) 둘째줄 '트렌지' -> '트렌치'

(p127 문제 3.10(l))

분포도는 -> 에칭된 단면은

(p.135 외)

(p.135) 4.2절 둘째줄 x<-xN -> x<xN

(p.136) 수식 (4.2.4) 맨 앞에 붙은 - 부호 삭제

(p.136) 중간에 "음 전하량의 면적 밀도..." 부분에서
        Na|xP| -> qNa|xP|, Nd|xN| -> qNd|xN|

(p.136) 수식 (4.2.7) 첫줄 Na -> Nd

(p.138) 수식 (4.2.8) 다음 줄 첫머리 xN+xP -> xP-xN 또는 |xN|+|xP|

(p.146) 수식 (4.5.5)에서 VB 수식 앞의 계수 : 15 → 8.3
마지막 줄의 15V → 8.3V

(p.148) 맨 위 질문에 대한 '답' : 10^14 → 3.4x10^13

(p.173 표 4-1) AlP와 GaN의 Eg가 서로 바뀜. 3.39 <-> 2.45

(p.178 그림 4-32) (c)와 (e)의 Caption에서 qv(nu) -> qV

(p.183) 수식 (4.16.1) phiBn과 phiBp 앞에 q가 붙어야 함

(p.184) 수식 (4.16.2) phiBn과 psyM 앞에 q가 붙어야 함

(4장 150페이지 외)

(p.150 예제 4-3) 풀이 (a) N쪽 수식에서 : n^20 -> 10^20
                 풀이 (c) p'(xN) 수식에서 : n(xN) -> p(xN)

(p.166) 수식 (4.12.2)에서 : 마지막 단위 μm가 분모의 λ에 붙어야 함.

(p.170) 수식 (4.12.12) K -> k (볼츠만 상수이므로 소문자)

(p.202 문제 4.1(c)) 내부 전계 -> 내부 전위

(p.204 문제 4.5(d)) 결정적 전계 -> 임계 전계

(p150 예제 4-3)

(d) 소수 캐리어 농도는 얼마인가?  

→ (d) 다수캐리어 농도는 얼마인가?

(식 (4.12.8), (4.12.9))

식 (4.12.8) : 세 번째 항 앞에 '-'를 붙임
식 (4.12.9) : 두 번째 항 앞에 '-'를 붙임

(식 (4.16.1) 윗줄)

[그림 4-35] → [그림 4-34]

(4장 187페이지 외)

(p.187) 끝에서 둘째줄 J0 수식에서 100 -> 100 T^2


(p.195) 네째줄 Rc 식에서 10^7 -> 10^-7

        여섯째줄 10^-10 -> 10^-9


(p.205 문제 4.9(b)) 0.589V -> 0.598V (23xkT/q는 0.598V)

(p.206 문제 4.11(a)) 위와 동일하게 수정 

(p.207 문제 4.15) 단면적=10^-5cm^-2 -> 단위를 cm^2으로 수정

(5장 218페이지 외)

(p.218) 마지막줄 내용 추가
 “이러한 높은 에너지 장벽으로 인해, 전자와 정공은 일반적으로 SiO2 게이트 절연막을 통과하지 못한다. 폴리실리콘 게이트의 Ec역시 SiO2의 Ec보다 3.1eV만큼 낮아지게 된다(Si-SiO2간의 에너지 장벽에 해당된다).”

(p.253 문제 5.5) 그래프의 세로축 타이틀 Qs -> Qsub

(p.254~255 문제 5.9, 5.10) 평탄 전압 -> 평탄 밴드 전압 (총 3개 있음)

(p.257 문제 5.16(b)) Xox -> Tox, Xdmax -> Wdmax

(p.259 문제 5.21) (b)에서 폴리실리콘 게이트의 밴드 휨은
       아래첨자 s -> poly

(5장 241페이지 외)

(p.241) 끝에서 둘째줄 "반전층 전하의 수" -> "반전층 전하량"

(p.242) 수식 (5.9.3) 둘째줄에 - 부호가 빠짐

(p.249) 마지막 수식의 수식번호 "5.11.5" -> "5.4.3"
        그 다음 줄 "음의 부호 기판이" -> "음의 부호는 기판이"

(p.257 문제 5.15(e)) A,B,C,D -> A,B,C,D,E

(마지막 문단 세째 줄)

"전자 패킷" -> "전하 패킷"

(6장 276페이지 외)

(p.276) 끝에서 둘째 줄 "역방향된" -> "역방향으로 바이어스된"

(p.277 NOTE) 그림 아래에 "Vds에 대해"와 "(Vds-Vt)"에서 "Vds" -> "Vgs"

(p.280 그림 6-14) 그림에서 "균일 도핑에서의 Wdmax"와 "역경사 도핑에서의 Wdmax"가 서로 뒤바뀜.
캡션의 "일정한 도핑 프로파일" -> "균일 도핑 프로파일"

(p.287 그림 6-18(a)) 좌측 입력단의 "Vin"이 빠짐

(p.291) 식 (6.7.7) 아래 "커진" -> "꺼진"

(p.299 그림 6-24(b)) 접촉 금속과 실리사이드 사이의 경계선 표시 필요

(p.302) 6.12절 첫째 줄 "평균 자유 진로" -> "평균 자유 행로"

(p.303) 네째 줄 "통산적인" -> "통상적인"

(p.306) 첫째 줄 "멀티 레이아웃" -> "멀티핑거 레이아웃"

(p.310) 세째 줄 "출력단에서의 전압" -> "출력단에서의 잡음"

(p.310) 중간 "전하의 포획과 방출로 인한" -> "전하의 포획과 방출로 인해"

(p.312) 세째줄 "측정값" -> "척도"

(p.313) 6.16절 중간 "판독 헤더" -> "판독 헤드"

(p.313) 6.16절 중간 " 연결이 끊기지 않는 한" -> "연결이 끊겨도"

(p.313 표 6-1) 좌측 "SPAM" -> "SRAM"
              우측 "기본 CMOS 제조 및 호환성" -> "기본 CMOS 제조 공정과의 호환성"

(p.315 그림 6-34) 캡션 중 "금속" -> "금속 연결선" 

(p.316) 첫째 줄 "오른쪽" -> "아래쪽"

(p.320 NOTE) 마지막 줄 "감지할" -> "보증할" 

(p.320) NOTE 아래 네째 줄 "쓰기/읽기" -> "쓰기/지우기" 

(p.326 문제 6.2) "Au-GaAs의" -> "Au-GaAs 쇼트키 게이트의"

(p.333 문제 6.17(b)) P채널 MOSFET에서 "mu_ns" -> "mu_ps"

(p.335 문제 6.23) "Vdast" -> "Vdsat"

(6장)

* 대부분 원서 오류임

(p.280 각주 3) "EF가 EFn에 가까울 때"에서 EF -> Ec

(p.281 그림 6-15) 우측의 Vds -> Vd

(p.282) 식 (6.6.4) 아래로 둘째 줄 Cox(Vg-Vt-mVds/2) 에서
"Cox" -> "Coxe", "Vg" -> "Vgs" 

(p.284 그림 6-17(b)) 세로축 타이틀 중 Cox(Vg-mVcs-Vt) 에서
"Cox" -> "Coxe", "Vg" -> "Vgs"

(p.284 그림 6-17(c)와 (g)) 세로축 타이틀에서 I에 대한 수식에 W가 빠짐
(I의 등식 우항 맨 앞에 W 추가)

(p.285 NOTE) 식 (6.6.7) 아래에 "Vg" -> "Vgs", "Cox" -> "Coxe",
"μ_s" -> "μ_ns" (2곳)

(p.291) 식 (6.8.1) 아래 둘째 줄 v=mu E 수식에서 "mu" -> "mu_ns"

(p.294) 식 (6.9.9) 둘째 줄 "Vg" -> "Vgs"

(p.294 예제 6-2) 풀이 첫째 줄 "mu_n" -> "mu_ns"

(p.295 예제 6-2) 마지막 줄의 장채널 Vdsat=Vg-Vt 식은 식 (6.6.5)와 동일한 형태가 되어야 함

(p.296) 식 (6.9.13) "Vg" -> "Vgs"

(p.297) 세째 줄 "Vg" -> "Vgs"

(p.297 그림 6-23(b)) 세로축 타이틀의 uA -> mA

(p.298) 둘째 문단 둘째 줄 "Vg" -> "Vgs"

(p.299) 식 (6.10.2) “Vsat0” -> “Vdsat0”

(p.315 그림 6-34) 캡션 중 "여섯 개의 NFET" -> "네 개의 NFET"

(p.324) 식 (6.9.14) "EsatL" -> "mEsatL"

(p.324) 식 (6.9.10) 아래 "정공에 대해" 부분에서 "μ_ns" -> "μ_ps"

(p.324) gds 식에서 분모의 "dVd" -> "dVds"

(p.328 문제 6.6) "Vg" -> "Vgs", "Vd" -> "Vds", "Id" -> "Ids"

(p.330 문제 6.9) "Vg" -> "Vgs"
                Vc(x)=... 식에서 대괄호 안의 1과 제곱근 사이에 "-" 부호 삽입

(p.330 문제 6.10(c)) "μ_n" -> "μ_ns"

(p.335 문제 6.24) 힌트 중 "μ_s" -> "μ_ns" (2곳)
힌트의 Esat=... 수식은 식 (6.9.8)과 같이 2vsat/μ_ns 가 되어야 함.

(p.291 식(6.7.8))

Pstatic = Pstatic + Pdynamic 
-> Ptotal = Pstatic + Pdynamic

(7장)

(p.342) 아래에서 7번째 줄 "70% 감소한다" -> "70%로 감소한다"
        아래에서 3번째 줄 "70% 줄이면" -> "70%로 줄이면" 

(p.344) 각주 "대기상대" -> "대기상태"

(p.350 예제 7-1) 풀이 (a) "0.0085" -> "0.085"
                 풀이 (b)에서 가운데의 "-" -> "="

(p.351) NOTE 아래 첫째 줄 "받아들" -> "받아들일"
                 네째 줄 "두 번째 열" -> "두 번째 행"

(p.353 그림 7-6) 캡션에서 "정전 커패시터" -> "정전기적 커플링" 또는 "정전기적 결합"
                (electrostatic coupling)

(p.355) 둘째 단락 네째 줄 "[그림 7-8(b)]는" -> "[그림 7-8(b)]에서와 같이"

(p.355 그림 7-8(b)) 세로축 타이틀 "반전 바이어스" -> "게이트 전류 밀도" (Gate current density)

(p.370) 식 (7.9.1), (7.9.2)의 "ldsat" -> "Idsat" (소문자 "엘"을 대문자 "아이"로 수정)

(p.373) 끝에서 세째 줄 "n형 및 p형 MOSFET" -> "N채널 및 P채널 트랜지스터"

(p.375) 식 (7.3.4)의 "Id" -> "ld" (대문자 "아이"를 소문자 "엘"로 수정)

(8장)

* 대부분 원서 오류입니다.

(p.378 문제 7.8(d)) "Xdep" -> "Wdep"

(p.393 예제 8-1) 풀이 (c)에서 둘째줄 betaF 수식 중간의 "=9x" -> "x"
                "=237" 앞에 분자의 "niB^2" -> "ni^2", 분모의 "39" -> "38"

(p.394) 첫째 줄 "beta" -> "betaF" (첨자 F가 빠짐)

(p.420 문제 8.6(b)) "ΦB=0.72eV" -> "qΦB=0.72eV" 또는 "ΦB=0.72V"

(p.421 문제 8.8(b)) "I-V 특성...동작하고 있는가?" ->
"I-V 특성의 어느 영역에서 이 BJT가 동작하고 있는가?"

(p.421 문제 8.8(b)) 힌트 "BE 및 BE 접합" -> "BE 및 BC 접합"

(p.421 그림 8-28) 컬렉터(C) 영역 그래프 위에 "n'" 레이블 표시

(p.421 문제 8.8(e)) VCE>0.3V → VEC>0.3V

(p.426) 식 (I.3) 아래 "px 값 사이의...허용 가능하다." ->
"허용 가능한 px 값 사이의 증가량은 h/L이다."

(p.426) 식 (I.3) 아래 "h/L로 증가하는" ->
"h/L씩 증가하는"

(p.431) 식 (II.5) 위의 "급수를" -> "수열을"

(p.432) 식 (II.8) 아래 "계수" -> "계승" (factorial)
                      "Sterling" -> "Stirling"

(p.432) "레그랑게(Legrange)" -> "라그랑지(Lagrange)"

(p.431) 식 (II.6) 이하 부록 II 전체에서 합을 나타내는 "Sigma"의
summation index의 "k"를 모두 "i"로 변경

(8장)

(p.388) 각주 1 "제공된 전공" -> "제공된 정공"

(p.402) 세째 줄 "NB"에서 "N"은 이탤릭, "B"는 아래 첨자임 (베이스 도핑 농도)
       그림 8-16 아래 둘째 줄의 "Ev"에서 첨자는 대문자 "V"임

(p.418 문제 8.4) 세째 줄 "exp..." 식에서 단위 "cm-3" 삭제

(p.418 문제 8.1) 문제 (f)에서 "BJT 내에서" -> "바이어스된 BJT 내에서" 

(p.421 문제 8.8(b)) 힌트 "BE 및 BE 접합" -> "BE 및 BC 접합"

(2번째 줄)

+1pC의 과도 정공과 -1pC의 정공이 있다.

-> +1pC의 과도 정공과 -1pC의 과도 전자가 있다.